DMHC6070LSD-13

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MOSFET 2N/2P-CHA 60V 3.1A 8SO

Número da pe?a NOVA:

303-2251476-DMHC6070LSD-13

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

DMHC6070LSD-13

Embalagem padr?o:

2,500

Ficha técnica:

Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 60V 3.1A, 2.4A 1.6W Surface Mount 8-SO

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Fabricante	Diodes Incorporated
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	8-SO
Número do produto base	DMHC6070
Pacote / Estojo	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Series	-
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	3.1A, 2.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	11.5nC @ 10V
Recurso FET	Standard
Tipo FET	2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	60V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	731pF @ 20V
Potência - Máx.	1.6W
Outros nomes	DMHC6070LSD-13DIDKR DMHC6070LSD-13DICT DMHC6070LSD-13DITR

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