SQJ264EP-T1_GE3
AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 60 V (
Número da pe?a NOVA:
303-2247768-SQJ264EP-T1_GE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SQJ264EP-T1_GE3
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 60V 20A (Tc), 54A (Tc) 27W (Tc), 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric | |
| Número do produto base | SQJ264 | |
| Pacote / Estojo | PowerPAK® SO-8 Dual | |
| Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 20A (Tc), 54A (Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 6A, 10V, 8.6mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V, 32nC @ 10V | |
| Recurso FET | Standard | |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 60V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 25V, 2100pF @ 25V | |
| Potência - Máx. | 27W (Tc), 48W (Tc) | |
| Outros nomes | 742-SQJ264EP-T1_GE3TR 742-SQJ264EP-T1_GE3CT SQJ264EP-T1 GE3 742-SQJ264EP-T1_GE3DKR |
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