IPD60R400CEAUMA1

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Infineon Technologies
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	PG-TO252-2
基本製品番号	IPD60R400
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	CoolMOS™ CE
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	14.7A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	400mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	3.5V @ 300µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	32 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	600 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	700 pF @ 100 V
消費電力(最大)	112W (Tc)
その他の名前	IPD60R400CEAUMA1-ND 2156-IPD60R400CEAUMA1 IPD60R400CEAUMA1DKR IPD60R400CEAUMA1CT IPD60R400CEAUMA1TR INFINFIPD60R400CEAUMA1 SP001396880

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