SPB20N60C3ATMA1
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO263-3
NOVA部品番号:
312-2283537-SPB20N60C3ATMA1
製造メーカー部品番号:
SPB20N60C3ATMA1
ひょうじゅんほうそう:
1,000
技術データシート:
N-Channel 650 V 20.7A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TO263-3-2 | |
| 基本製品番号 | SPB20N60 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | CoolMOS™ | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 20.7A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 190mOhm @ 13.1A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 3.9V @ 1mA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 114 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 650 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 2400 pF @ 25 V | |
| 消費電力(最大) | 208W (Tc) | |
| その他の名前 | SPB20N60C3INTR-ND SPB20N60C3ATMA1DKR SPB20N60C3INCT-ND SPB20N60C3INDKR-ND SPB20N60C3ATMA1CT SPB20N60C3INCT SPB20N60C3XT-ND SP000013520 SPB20N60C3 SPB20N60C3XT SPB20N60C3INTR SPB20N60C3INDKR SPB20N60C3ATMA1TR |
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