STB11NM80T4
MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK
NOVA部品番号:
312-2273336-STB11NM80T4
製造メーカー部品番号:
STB11NM80T4
ひょうじゅんほうそう:
1,000
技術データシート:
N-Channel 800 V 11A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D2PAK
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -65°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | D2PAK | |
| 基本製品番号 | STB11 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | MDmesh™ | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 11A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 400mOhm @ 5.5A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 5V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 43.6 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (最大) | ±30V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 800 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1630 pF @ 25 V | |
| 消費電力(最大) | 150W (Tc) | |
| その他の名前 | 497-4319-1-ND 497-4319-1 497-4319-2 497-4319-1-NDR 497-4319-6 -1138-STB11NM80T4CT -1138-STB11NM80T4DKR 497-STB11NM80T4TR 497-4319-2-NDR 497-STB11NM80T4DKR 497-4319-6-ND 497-STB11NM80T4CT 497-4319-2-ND -1138-STB11NM80T4TR |
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