IRF7420TRPBF

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Infineon Technologies
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	8-SO
基本製品番号	IRF7420
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	HEXFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	11.5A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	1.8V, 4.5V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	14mOhm @ 11.5A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID	900mV @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	38 nC @ 4.5 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (最大)	±8V
FETタイプ	P-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	12 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	3529 pF @ 10 V
消費電力(最大)	2.5W (Ta)
その他の名前	IRF7420TRPBFTR-ND IRF7420TRPBF-ND IRF7420PBFCT IRF7420PBFDKR SP001571942 *IRF7420TRPBF IRF7420PBFTR

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