BSH103,215
MOSFET N-CH 30V 850MA TO236AB
NOVA部品番号:
312-2263310-BSH103,215
製造メーカー部品番号:
BSH103,215
ひょうじゅんほうそう:
3,000
技術データシート:
N-Channel 30 V 850mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount TO-236AB
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-236AB | |
| 基本製品番号 | BSH103 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | - | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 850mA (Ta) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 2.5V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 400mOhm @ 500mA, 4.5V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 400mV @ 1mA (Min) | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 2.1 nC @ 4.5 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (最大) | ±8V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 30 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 83 pF @ 24 V | |
| 消費電力(最大) | 540mW (Ta) | |
| その他の名前 | BSH103 T/R-ND 2156-BSH103,215-NEX 1727-4319-2 NEXNEXBSH103,215 1727-4319-1 568-5013-2 1727-4319-6 934054713215 568-5013-6 BSH103 T/R BSH103215 568-5013-1-ND 568-5013-2-ND BSH103,215-ND 568-5013-1 568-5013-6-ND |
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