SQM10250E

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	TO-263 (D²Pak)
基本製品番号	SQM10250
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	65A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	7.5V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	30mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	3.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	75 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	250 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	4050 pF @ 25 V
消費電力(最大)	375W (Tc)
その他の名前	SQM10250E_GE3TR SQM10250E_GE3CT SQM10250E_GE3DKR

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