SQM60N20-35_GE3
MOSFET N-CH 200V 60A TO263
NOVA部品番号:
312-2274222-SQM60N20-35_GE3
製造元:
製造メーカー部品番号:
SQM60N20-35_GE3
ひょうじゅんほうそう:
800
技術データシート:
N-Channel 200 V 60A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-263 (D²Pak) | |
| 基本製品番号 | SQM60 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 60A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 35mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 3.5V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 135 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 200 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 5850 pF @ 25 V | |
| 消費電力(最大) | 375W (Tc) | |
| その他の名前 | SQM60N20-35_GE3CT SQM60N20-35_GE3TR SQM60N20-35_GE3DKR SQM60N20-35_GE3-ND |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました！
1N4148WS-7-FDiodes Incorporated
BUK7Y4R8-60EXNexperia USA Inc.
MMSZ5263BT1Gonsemi
SQM10250E_GE3Vishay Siliconix
PHB33NQ20T,118Nexperia USA Inc.
FQB34N20LTMonsemi
IPB320N20N3GATMA1Infineon Technologies- SQM90142E_GE3Vishay Siliconix
IXFY36N20X3IXYS
SQJA20EP-T1_GE3Vishay Siliconix
