TSM2N100CH C5G
MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO251
NOVA部品番号:
312-2273662-TSM2N100CH C5G
製造メーカー部品番号:
TSM2N100CH C5G
ひょうじゅんほうそう:
3,750
技術データシート:
N-Channel 1000 V 1.85A (Tc) 77W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Taiwan Semiconductor Corporation | |
| RoHS | 1 | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Through Hole | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-251 (IPAK) | |
| 基本製品番号 | TSM2N100 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | - | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 1.85A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 8.5Ohm @ 900mA, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 5.5V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 17 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
| Vgs (最大) | ±30V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 1000 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 625 pF @ 25 V | |
| 消費電力(最大) | 77W (Tc) | |
| その他の名前 | TSM2N100CH C5G-ND TSM2N100CHC5G |
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