IPD050N03LGATMA1

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Infineon Technologies
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	PG-TO252-3-11
基本製品番号	IPD050
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	OptiMOS™
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	50A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	4.5V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	2.2V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	31 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	30 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	3200 pF @ 15 V
消費電力(最大)	68W (Tc)
その他の名前	IPD050N03LGATMA1CT IPD050N03LGINDKR IPD050N03LGINCT-ND 2156-IPD050N03LGATMA1 IPD050N03L G IPD050N03LGINTR IPD050N03LGINCT IPD050N03LGXT IPD050N03LGATMA1TR IPD050N03LG SP000680630 IPD050N03LGATMA1DKR IPD050N03LGINDKR-ND ROCINFIPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGINTR-ND