IPD090N03LGATMA1

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Infineon Technologies
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	PG-TO252-3-11
基本製品番号	IPD090
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	OptiMOS™
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	40A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	4.5V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	2.2V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	15 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	30 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	1600 pF @ 15 V
消費電力(最大)	42W (Tc)
その他の名前	IPD090N03LGINCT IPD090N03LGXT IPD090N03LGINDKR IPD090N03LGINDKR-ND IPD090N03LGINTR-ND IPD090N03LGATMA1CT IPD090N03LGINCT-ND IPD090N03LGATMA1TR INFINFIPD090N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1DKR 2156-IPD090N03LGATMA1 IPD090N03L G IPD090N03LGINTR SP000680636 IPD090N03LG