NVMFD6H852NLT1G
MOSFET N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL
NOVA部品番号:
312-2290641-NVMFD6H852NLT1G
製造元:
製造メーカー部品番号:
NVMFD6H852NLT1G
ひょうじゅんほうそう:
1,500
技術データシート:
N-Channel 80 V 7A (Ta), 25A (Tc) 3.2W (Ta), 38W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) | |
| 基本製品番号 | NVMFD6 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 7A (Ta), 25A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 25.5mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2V @ 26µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 10 nC @ 10 V | |
| パッケージ・ケース | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 80 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 521 pF @ 40 V | |
| 消費電力(最大) | 3.2W (Ta), 38W (Tc) | |
| その他の名前 | NVMFD6H852NLT1GOS NVMFD6H852NLT1GOS-ND NVMFD6H852NLT1GOSCT NVMFD6H852NLT1GOSTR NVMFD6H852NLT1GOSDKR |
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