NVMFS5113PLT1G
MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN
NOVA部品番号:
312-2282442-NVMFS5113PLT1G
製造元:
製造メーカー部品番号:
NVMFS5113PLT1G
ひょうじゅんほうそう:
1,500
技術データシート:
P-Channel 60 V 10A (Ta), 64A (Tc) 3.8W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | |
| 基本製品番号 | NVMFS5113 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 10A (Ta), 64A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 14mOhm @ 17A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2.5V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 83 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | 8-PowerTDFN, 5 Leads | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 60 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 4400 pF @ 25 V | |
| 消費電力(最大) | 3.8W (Ta), 150W (Tc) | |
| その他の名前 | NVMFS5113PLT1GOSDKR NVMFS5113PLT1G-ND NVMFS5113PLT1GOSTR NVMFS5113PLT1GOSCT |
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