IPD70N10S312ATMA1

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Infineon Technologies
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	PG-TO252-3-11
基本製品番号	IPD70N10
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	OptiMOS™
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	70A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	11.1mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	4V @ 83µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	65 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	100 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	4355 pF @ 25 V
消費電力(最大)	125W (Tc)
その他の名前	IPD70N10S312ATMA1DKR IPD70N10S3-12-ND IPD70N10S3-12CT IPD70N10S3-12DKR-ND IPD70N10S312 IPD70N10S3-12TR-ND IPD70N10S3-12 IPD70N10S3-12CT-ND IPD70N10S312ATMA1TR SP000427248 IPD70N10S3-12DKR IPD70N10S3-12TR IPD70N10S312ATMA1CT

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