IPB042N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
NOVA部品番号:
312-2263267-IPB042N10N3GATMA1
製造メーカー部品番号:
IPB042N10N3GATMA1
ひょうじゅんほうそう:
1,000
技術データシート:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TO263-3 | |
| 基本製品番号 | IPB042 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | OptiMOS™ | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 100A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 6V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 4.2mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 3.5V @ 150µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 117 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 100 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 8410 pF @ 50 V | |
| 消費電力(最大) | 214W (Tc) | |
| その他の名前 | IPB042N10N3GATMA1TR IPB042N10N3 G-ND IPB042N10N3GATMA1CT IPB042N10N3G IPB042N10N3 GCT-ND IPB042N10N3 GTR-ND IPB042N10N3 GDKR IPB042N10N3GATMA1DKR IPB042N10N3 GDKR-ND IPB042N10N3 GCT SP000446880 IPB042N10N3 G |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました！
NCV8402ADDR2Gonsemi
IRF100S201Infineon Technologies
STH150N10F7-2STMicroelectronics
TLE7250GVIOXUMA2Infineon Technologies
TJA1051TK/3,118NXP USA Inc.- IPB083N10N3GATMA1Infineon Technologies
IFX9201SGAUMA1Infineon Technologies
FDMC4435BZonsemi
BTS500551TMAATMA1Infineon Technologies
