SPP18P06PHXKSA1
MOSFET P-CH 60V 18.7A TO220-3
NOVA部品番号:
312-2288757-SPP18P06PHXKSA1
製造メーカー部品番号:
SPP18P06PHXKSA1
ひょうじゅんほうそう:
50
技術データシート:
P-Channel 60 V 18.7A (Ta) 81.1W (Ta) Through Hole PG-TO220-3
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Through Hole | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TO220-3 | |
| 基本製品番号 | SPP18P06 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | SIPMOS® | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 18.7A (Ta) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 130mOhm @ 13.2A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4V @ 1mA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 28 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-220-3 | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 60 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 860 pF @ 25 V | |
| 消費電力(最大) | 81.1W (Ta) | |
| その他の名前 | SPP18P06P G-ND IFEINFSPP18P06PHXKSA1 SPP18P06P H SPP18P06PH 2156-SPP18P06PHXKSA1 SP000446906 SPP18P06P G SPP18P06P H-ND |
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