SPD18P06PGBTMA1
MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3
NOVA部品番号:
312-2361603-SPD18P06PGBTMA1
製造メーカー部品番号:
SPD18P06PGBTMA1
ひょうじゅんほうそう:
2,500
技術データシート:
P-Channel 60 V 18.6A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TO252-3 | |
| 基本製品番号 | SPD18P06 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | SIPMOS® | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 18.6A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 130mOhm @ 13.2A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4V @ 1mA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 33 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 60 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 860 pF @ 25 V | |
| 消費電力(最大) | 80W (Tc) | |
| その他の名前 | SPD18P06P G SPD18P06P G-ND SPD18P06P GTR-ND SPD18P06P GCT-ND SPD18P06P GDKR-ND SPD18P06PGBTMA1DKR SPD18P06P GDKR SPD18P06PGBTMA1CT SPD18P06P GCT SPD18P06PG SPD18P06PGBTMA1TR SP000443926 |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました！
SPD18P06PGInfineon Technologies
DMPH6050SK3-13Diodes Incorporated
DRV8353SRTATTexas Instruments
NP15P06SLG-E1-AYRenesas Electronics America Inc- ZXMP6A17KTCDiodes Incorporated
- TJ15S06M3L,LXHQToshiba Semiconductor and Storage
- NP20P06SLG-E1-AYRenesas Electronics America Inc
BSC034N10LS5ATMA1Infineon Technologies- FQD17P06TMonsemi
MBRB1560TRSMC Diode Solutions
