FDB024N06
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
NOVA部品番号:
312-2273019-FDB024N06
製造元:
製造メーカー部品番号:
FDB024N06
ひょうじゅんほうそう:
800
技術データシート:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 395W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | D²PAK (TO-263) | |
| 基本製品番号 | FDB024 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | PowerTrench® | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 120A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 2.4mOhm @ 75A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4.5V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 226 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 60 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 14885 pF @ 25 V | |
| 消費電力(最大) | 395W (Tc) | |
| その他の名前 | FDB024N06DKR FDB024N06TR FDB024N06CT 2156-FDB024N06-OS FAIFSCFDB024N06 |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか?フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました!
- IRLS3036TRLPBFInfineon Technologies
- IRF6668TRPBFInfineon Technologies
- STH260N6F6-2STMicroelectronics
- PSMN1R7-60BS,118Nexperia USA Inc.
- SQM50020EL_GE3Vishay Siliconix
- BZD27C22P-E3-08Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- BUK962R5-60E,118Nexperia USA Inc.






