TK110U65Z,RQ

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Toshiba Semiconductor and Storage
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	150°C
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	TOLL
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	DTMOSVI
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	24A (Ta)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	110mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	4V @ 1.02mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	40 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	8-PowerSFN
Vgs (最大)	±30V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	650 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	2250 pF @ 300 V
消費電力(最大)	190W (Tc)
その他の名前	264-TK110U65ZRQCT 264-TK110U65ZRQDKR TK110U65Z,RQ(S 264-TK110U65ZRQTR

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