TK190U65Z,RQ

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Toshiba Semiconductor and Storage
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	150°C
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	TOLL
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	DTMOSVI
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	15A (Ta)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	190mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	4V @ 610µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	25 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	8-PowerSFN
Vgs (最大)	±30V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	650 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	1370 pF @ 300 V
消費電力(最大)	130W (Tc)
その他の名前	264-TK190U65ZRQDKR 264-TK190U65ZRQCT 264-TK190U65ZRQTR TK190U65Z,RQ(S

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