IPD060N03LGATMA1

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Infineon Technologies
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	PG-TO252-3
基本製品番号	IPD060
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	OptiMOS™
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	50A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	4.5V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	2.2V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	23 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	30 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	2400 pF @ 15 V
消費電力(最大)	56W (Tc)
その他の名前	IPD060N03LGINCT-ND IPD060N03LGATMA1CT IPD060N03LGINTR IPD060N03LGATMA1TR IPD060N03LG IPD060N03LGXT 2156-IPD060N03LGATMA1 IPD060N03L G IPD060N03LGINTR-ND IFEINFIPD060N03LGATMA1 SP000680632 IPD060N03LGINDKR IPD060N03LGINCT IPD060N03LGATMA1DKR IPD060N03LGINDKR-ND

In stock お問い合わせください

あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。

他にもお気に入りの製品が見つかりました！