RQ3E180AJTB
MOSFET N-CH 30V 18A/30A 8HSMT
NOVA部品番号:
312-2263242-RQ3E180AJTB
製造メーカー部品番号:
RQ3E180AJTB
ひょうじゅんほうそう:
3,000
技術データシート:
N-Channel 30 V 18A (Ta), 30A (Tc) 2W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 8-HSMT (3.2x3) | |
| 基本製品番号 | RQ3E180 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | - | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 18A (Ta), 30A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 2.5V, 4.5V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 4.5mOhm @ 18A, 4.5V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 1.5V @ 11mA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 39 nC @ 4.5 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | 8-PowerVDFN | |
| Vgs (最大) | ±12V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 30 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 4290 pF @ 15 V | |
| 消費電力(最大) | 2W (Ta), 30W (Tc) | |
| その他の名前 | RQ3E180AJTBCT RQ3E180AJTBDKR RQ3E180AJTBTR |
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