PMV45EN2R
MOSFET N-CH 30V 4.1A TO236AB
NOVA部品番号:
312-2274161-PMV45EN2R
製造メーカー部品番号:
PMV45EN2R
ひょうじゅんほうそう:
3,000
技術データシート:
N-Channel 30 V 4.1A (Ta) 510mW (Ta), 5W (Tc) Surface Mount TO-236AB
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-236AB | |
| 基本製品番号 | PMV45EN2 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | - | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 4.1A (Ta) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 42mOhm @ 4.1A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 6.3 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 30 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 209 pF @ 15 V | |
| 消費電力(最大) | 510mW (Ta), 5W (Tc) | |
| その他の名前 | 568-12593-2 568-12593-1 568-12593-2-ND 1727-2307-2 568-12593-1-ND 568-12593-6-ND 1727-2307-1 1727-2307-6 568-12593-6 934068494215 |
In stock もっと必要ですか。
$0.13840
あなたが望む価格ではありませんか?フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました!
- BGM13S32F512GA-V3Silicon Labs
- PMV37EN2RNexperia USA Inc.
- PMV42ENERNexperia USA Inc.
- PMV45EN2215NXP USA Inc.
- MCP23017T-E/SSMicrochip Technology
- CX3225GB27120P0HPQCCKyocera AVX
- PMV45EN2VLNexperia USA Inc.
- RE1C002UNTCLRohm Semiconductor
- TPS3839G18DBZRTexas Instruments
- 1PS79SB30,115Nexperia USA Inc.
- AO3406Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- IRLML6402TRPBFInfineon Technologies









