TK8R2A06PL,S4X
MOSFET N-CH 60V 50A TO220SIS
NOVA部品番号:
312-2290647-TK8R2A06PL,S4X
製造メーカー部品番号:
TK8R2A06PL,S4X
ひょうじゅんほうそう:
50
技術データシート:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220SIS
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| 動作温度 | 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Through Hole | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-220SIS | |
| 基本製品番号 | TK8R2A06 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | U-MOSIX-H | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 50A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 11.4mOhm @ 8A, 4.5V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2.5V @ 300µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 28.4 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-220-3 Full Pack | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 60 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1990 pF @ 25 V | |
| 消費電力(最大) | 36W (Tc) | |
| その他の名前 | TK8R2A06PL,S4X(S TK8R2A06PLS4X |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました！
TBD62064AFG,ELToshiba Semiconductor and Storage
S-817B12AMC-CWBT2GABLIC U.S.A. Inc.
FKI06190Sanken
TK8S06K3L(T6L1,NQ)Toshiba Semiconductor and Storage
TK30A06N1,S4XToshiba Semiconductor and Storage
