TK8S06K3L(T6L1,NQ)
MOSFET N-CH 60V 8A DPAK
NOVA部品番号:
312-2301957-TK8S06K3L(T6L1,NQ)
製造メーカー部品番号:
TK8S06K3L(T6L1,NQ)
ひょうじゅんほうそう:
2,000
技術データシート:
N-Channel 60 V 8A (Ta) 25W (Tc) Surface Mount DPAK+
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | DPAK+ | |
| 基本製品番号 | TK8S06 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | U-MOSIV | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 8A (Ta) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 6V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 54mOhm @ 4A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 3V @ 1mA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 10 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 60 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 400 pF @ 10 V | |
| 消費電力(最大) | 25W (Tc) | |
| その他の名前 | TK8S06K3L(T6L1NQ) TK8S06K3LT6L1NQ |
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