IRF7473TRPBF
MOSFET N-CH 100V 6.9A 8SO
NOVA部品番号:
312-2288094-IRF7473TRPBF
製造メーカー部品番号:
IRF7473TRPBF
ひょうじゅんほうそう:
4,000
技術データシート:
N-Channel 100 V 6.9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 8-SO | |
| 基本製品番号 | IRF7473 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 6.9A (Ta) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 26mOhm @ 4.1A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 5.5V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 61 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 100 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 3180 pF @ 25 V | |
| 消費電力(最大) | 2.5W (Ta) | |
| その他の名前 | IRF7473PBFDKR SP001555418 IRF7473TRPBFTR-ND *IRF7473TRPBF IRF7473TRPBF-ND IRF7473PBFCT IRF7473PBFTR |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました！
IRF7473PBFInternational Rectifier
SI4100DY-T1-GE3Vishay Siliconix
FDS86141onsemi
IRFS4127TRLPBFInfineon Technologies
