IRF7473PBF

HEXFET POWER MOSFET
NOVA部品番号:
312-2294472-IRF7473PBF
製造メーカー部品番号:
IRF7473PBF
ひょうじゅんほうそう:
1
技術データシート:

N-Channel 100 V 6.9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO

More Information
カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元International Rectifier
RoHS 1
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプSurface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 8-SO
テクノロジーMOSFET (Metal Oxide)
シリーズHEXFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 6.9A (Ta)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs 26mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID 5.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 61 nC @ 10 V
FETの特徴-
パッケージ・ケース8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (最大)±20V
FETタイプN-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)100 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds 3180 pF @ 25 V
消費電力(最大) 2.5W (Ta)
その他の名前2156-IRF7473PBF
INFIRFIRF7473PBF

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