SI7190ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 250V 4.3A/14.4A PPAK
NOVA部品番号:
312-2273330-SI7190ADP-T1-RE3
製造元:
製造メーカー部品番号:
SI7190ADP-T1-RE3
ひょうじゅんほうそう:
3,000
技術データシート:
N-Channel 250 V 4.3A (Ta), 14.4A (Tc) 5W (Ta), 56.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 | |
| 基本製品番号 | SI7190 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | ThunderFET® | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 4.3A (Ta), 14.4A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 7.5V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 102mOhm @ 4.3A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 22.4 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | PowerPAK® SO-8 | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 250 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 860 pF @ 100 V | |
| 消費電力(最大) | 5W (Ta), 56.8W (Tc) | |
| その他の名前 | SI7190ADP-T1-RE3CT SI7190ADP-T1-RE3TR SI7190ADP-T1-RE3DKR SI7190ADP-RE3 |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました！
TPN2010FNH,L1QToshiba Semiconductor and Storage
BSC670N25NSFDATMA1Infineon Technologies
SIR692DP-T1-RE3Vishay Siliconix
TPH1110FNH,L1QToshiba Semiconductor and Storage
SI7434ADP-T1-RE3Vishay Siliconix- SI7190DP-T1-GE3Vishay Siliconix
BSZ16DN25NS3GATMA1Infineon Technologies- BSC600N25NS3GATMA1Infineon Technologies
- BSC16DN25NS3GATMA1Infineon Technologies