TPN2010FNH,L1Q
MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
NOVA部品番号:
312-2287930-TPN2010FNH,L1Q
製造メーカー部品番号:
TPN2010FNH,L1Q
ひょうじゅんほうそう:
5,000
技術データシート:
N-Channel 250 V 5.6A (Ta) 700mW (Ta), 39W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 8-TSON Advance (3.1x3.1) | |
| 基本製品番号 | TPN2010 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | U-MOSVIII-H | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 5.6A (Ta) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 198mOhm @ 2.8A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4V @ 200µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 7 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | 8-PowerVDFN | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 250 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 600 pF @ 100 V | |
| 消費電力(最大) | 700mW (Ta), 39W (Tc) | |
| その他の名前 | TPN2010FNHL1QCT TPN2010FNHL1QTR TPN2010FNH,L1Q(M TPN2010FNHL1QDKR |
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