NVMJS1D5N04CLTWG

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	onsemi
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	8-LFPAK
基本製品番号	NVMJS1
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	Automotive, AEC-Q101
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	38A (Ta), 200A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	4.5V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	1.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	2V @ 130µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	70 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	SOT-1205, 8-LFPAK56
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	40 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	4300 pF @ 20 V
消費電力(最大)	3.8W (Ta), 110W (Tc)
その他の名前	NVMJS1D5N04CLTWGOS NVMJS1D5N04CLTWGOS-ND NVMJS1D5N04CLTWGOSTR NVMJS1D5N04CLTWGOSCT NVMJS1D5N04CLTWGOSDKR

In stock お問い合わせください

あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。

他にもお気に入りの製品が見つかりました！