TPH2R506PL,L1Q
MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
NOVA部品番号:
312-2280941-TPH2R506PL,L1Q
製造メーカー部品番号:
TPH2R506PL,L1Q
ひょうじゅんほうそう:
5,000
技術データシート:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 132W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 8-SOP Advance (5x5) | |
| 基本製品番号 | TPH2R506 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | U-MOSIX-H | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 100A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 4.4mOhm @ 30A, 4.5V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2.5V @ 500µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 60 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | 8-PowerVDFN | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 60 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 5435 pF @ 30 V | |
| 消費電力(最大) | 132W (Tc) | |
| その他の名前 | TPH2R506PLL1Q TPH2R506PLL1QDKR TPH2R506PLL1QTR TPH2R506PL,L1Q(M TPH2R506PLL1QCT |
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