FQD19N10TM
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
NOVA部品番号:
312-2290539-FQD19N10TM
製造元:
製造メーカー部品番号:
FQD19N10TM
ひょうじゅんほうそう:
2,500
技術データシート:
N-Channel 100 V 15.6A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-252AA | |
| 基本製品番号 | FQD19N10 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | QFET® | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 15.6A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 100mOhm @ 7.8A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 25 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (最大) | ±25V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 100 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 780 pF @ 25 V | |
| 消費電力(最大) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) | |
| その他の名前 | FQD19N10TM-ND 2156-FQD19N10TM-OS FQD19N10TMCT FQD19N10TMDKR FQD19N10TMTR FAIFSCFQD19N10TM |
In stock もっと必要ですか。
$0.88940
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました！
IRFR3710ZTRPBFInfineon Technologies
STD10NF10T4STMicroelectronics
NTD6416ANLT4Gonsemi- IRLR3410TRPBFInfineon Technologies
