IRFR3710ZTRPBF

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Infineon Technologies
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	D-Pak
基本製品番号	IRFR3710
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	HEXFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	42A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	18mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	100 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	100 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	2930 pF @ 25 V
消費電力(最大)	140W (Tc)
その他の名前	IRFR3710ZTRPBFTR IRFR3710ZTRPBF-ND IRFR3710ZTRPBFCT Q9351872 SP001560638 IRFR3710ZTRPBFDKR

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