BSC100N10NSFGATMA1
MOSFET N-CH 100V 11.4/90A 8TDSON
NOVA部品番号:
312-2282428-BSC100N10NSFGATMA1
製造メーカー部品番号:
BSC100N10NSFGATMA1
ひょうじゅんほうそう:
5,000
技術データシート:
N-Channel 100 V 11.4A (Ta), 90A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TDSON-8-1 | |
| 基本製品番号 | BSC100 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | OptiMOS™ | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 11.4A (Ta), 90A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 10mOhm @ 25A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4V @ 110µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 44 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 100 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 2900 pF @ 50 V | |
| 消費電力(最大) | 156W (Tc) | |
| その他の名前 | 2156-BSC100N10NSFGATMA1 BSC100N10NSF G-ND BSC100N10NSFGATMA1DKR BSC100N10NSF GTR BSC100N10NSFGATMA1CT BSC100N10NSF GDKR BSC100N10NSF GTR-ND BSC100N10NSF GDKR-ND BSC100N10NSF GCT-ND BSC100N10NSF G SP000379595 BSC100N10NSFG BSC100N10NSFGATMA1TR BSC100N10NSF GCT IFEINFBSC100N10NSFGATMA1 |
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