BSC146N10LS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 44A TDSON-8-6
NOVA部品番号:
312-2282466-BSC146N10LS5ATMA1
製造メーカー部品番号:
BSC146N10LS5ATMA1
ひょうじゅんほうそう:
5,000
技術データシート:
N-Channel 100 V 44A (Tc) 2.5W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TDSON-8-6 | |
| 基本製品番号 | BSC146 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | OptiMOS™ 5 | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 44A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 14.6mOhm @ 22A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2.3V @ 23µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 10 nC @ 4.5 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 100 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1300 pF @ 50 V | |
| 消費電力(最大) | 2.5W (Ta), 52W (Tc) | |
| その他の名前 | 448-BSC146N10LS5ATMA1DKR 448-BSC146N10LS5ATMA1TR SP001385464 448-BSC146N10LS5ATMA1CT |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました！
BSC070N10LS5ATMA1Infineon Technologies
INA280A2QDCKRQ1Texas Instruments
MMBTA56Q-7-FDiodes Incorporated
BSZ096N10LS5ATMA1Infineon Technologies
SI7454DDP-T1-GE3Vishay Siliconix
BSZ146N10LS5ATMA1Infineon Technologies
BSC160N10NS3GATMA1Infineon Technologies
SZMMSZ5231BT1Gonsemi
ZXTN19100CFFTADiodes Incorporated
DGD05463FN-7Diodes Incorporated- BSC096N10LS5ATMA1Infineon Technologies
- BSC057N08NS3GATMA1Infineon Technologies
PMEG10020AELRXNexperia USA Inc.- ZXTP19100CFFTADiodes Incorporated
