FDMS037N08B
MOSFET N-CH 75V 100A 8PQFN
NOVA部品番号:
312-2282212-FDMS037N08B
製造元:
製造メーカー部品番号:
FDMS037N08B
ひょうじゅんほうそう:
3,000
技術データシート:
N-Channel 75 V 100A (Tc) 830mW (Ta), 104.2W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 8-PQFN (5x6) | |
| 基本製品番号 | FDMS037 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | PowerTrench® | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 100A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 3.7mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4.5V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 100 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 75 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 5915 pF @ 37.5 V | |
| 消費電力(最大) | 830mW (Ta), 104.2W (Tc) | |
| その他の名前 | FDMS037N08BCT 2156-FDMS037N08B-OS FDMS037N08BTR ONSONSFDMS037N08B FDMS037N08BDKR |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました！
FDMS039N08Bonsemi
DMTH6002LPS-13Diodes Incorporated
BSC061N08NS5ATMA1Infineon Technologies
XPW4R10ANB,L1XHQToshiba Semiconductor and Storage
SQJ180EP-T1_GE3Vishay Siliconix
STL120N8F7STMicroelectronics
IRFH5006TRPBFInfineon Technologies