BSO080P03NS3GXUMA1
MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO
NOVA部品番号:
312-2287794-BSO080P03NS3GXUMA1
製造メーカー部品番号:
BSO080P03NS3GXUMA1
ひょうじゅんほうそう:
2,500
技術データシート:
P-Channel 30 V 12A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount PG-DSO-8
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-DSO-8 | |
| 基本製品番号 | BSO080 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | OptiMOS™ | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 12A (Ta) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 6V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 8mOhm @ 14.8A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 3.1V @ 150µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 81 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Vgs (最大) | ±25V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 30 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 6750 pF @ 15 V | |
| 消費電力(最大) | 1.6W (Ta) | |
| その他の名前 | BSO080P03NS3 GCT-ND BSO080P03NS3 G-ND BSO080P03NS3 GDKR-ND BSO080P03NS3 GCT BSO080P03NS3G SP000472996 BSO080P03NS3 G BSO080P03NS3GXUMA1TR BSO080P03NS3GXUMA1CT BSO080P03NS3 GDKR BSO080P03NS3GXUMA1DKR BSO080P03NS3 GTR-ND |
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