BSO130P03SHXUMA1

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Infineon Technologies
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	PG-DSO-8
基本製品番号	BSO130
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	OptiMOS™
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	9.2A (Ta)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	13mOhm @ 11.7A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	2.2V @ 140µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	81 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (最大)	±25V
FETタイプ	P-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	30 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	3520 pF @ 25 V
消費電力(最大)	1.56W (Ta)
その他の名前	BSO130P03S HCT 2156-BSO130P03SHXUMA1 BSO130P03S H BSO130P03SHXUMA1DKR SP000613860 BSO130P03S HDKR BSO130P03SHXUMA1TR BSO130P03S HDKR-ND BSO130P03SHXUMA1CT BSO130P03S H-ND BSO130P03SH BSO130P03S HTR-ND BSO130P03S HCT-ND IFEINFBSO130P03SHXUMA1

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