BSS119NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
NOVA部品番号:
312-2264850-BSS119NH6327XTSA1
製造メーカー部品番号:
BSS119NH6327XTSA1
ひょうじゅんほうそう:
3,000
技術データシート:
N-Channel 100 V 190mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-SOT23 | |
| 基本製品番号 | BSS119 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | OptiMOS™ | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 190mA (Ta) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 6Ohm @ 190mA, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2.3V @ 13µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 0.6 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 100 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 20.9 pF @ 25 V | |
| 消費電力(最大) | 500mW (Ta) | |
| その他の名前 | BSS119NH6327XTSA1CT BSS119NH6327XTSA1TR SP000870644 BSS119NH6327XTSA1DKR |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました！
BUK6D56-60EXNexperia USA Inc.
BVSS123LT1Gonsemi
BSS123Lonsemi
LTST-C191KRKTLite-On Inc.
BSS123-7-FDiodes Incorporated- BSS123NH6327XTSA1Infineon Technologies
- BSS123onsemi
BSS123LT1Gonsemi
FMMT619-GComchip Technology
PMV213SN,215Nexperia USA Inc.
