BVSS123LT1G
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
NOVA部品番号:
312-2284349-BVSS123LT1G
製造元:
製造メーカー部品番号:
BVSS123LT1G
ひょうじゅんほうそう:
3,000
技術データシート:
N-Channel 100 V 170mA (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | SOT-23-3 (TO-236) | |
| 基本製品番号 | BVSS123 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 170mA (Ta) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 6Ohm @ 100mA, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2.8V @ 1mA | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 100 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 20 pF @ 25 V | |
| 消費電力(最大) | 225mW (Ta) | |
| その他の名前 | 2156-BVSS123LT1G-OS BVSS123LT1GOSDKR BVSS123LT1GOSCT BVSS123LT1GOSTR BVSS123LT1G-ND ONSONSBVSS123LT1G |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか?フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました!
- PMEG10010ELRXNexperia USA Inc.
- BVSS84LT1Gonsemi
- MMFTN123Diotec Semiconductor
- BSS123TADiodes Incorporated
- BSS123-7-FDiodes Incorporated
- ZXMP10A13FQTADiodes Incorporated
- SQ2325ES-T1_GE3Vishay Siliconix
- BSS123Lonsemi
- BSS123LT1Gonsemi
- MMBT7002KDiotec Semiconductor
- INA240A2QPWRQ1Texas Instruments
- DMN10H220L-7Diodes Incorporated







