BSC014N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON7
NOVA部品番号:
312-2283282-BSC014N06NSATMA1
製造メーカー部品番号:
BSC014N06NSATMA1
ひょうじゅんほうそう:
5,000
技術データシート:
N-Channel 60 V 30A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-17
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TDSON-8-17 | |
| 基本製品番号 | BSC014 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | OptiMOS™ | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 30A (Ta), 100A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 6V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 1.45mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2.8V @ 120µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 89 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 60 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 6500 pF @ 30 V | |
| 消費電力(最大) | 2.5W (Ta), 156W (Tc) | |
| その他の名前 | SP000924886 BSC014N06NSATMA1CT BSC014N06NSATMA1TR BSC014N06NSTR BSC014N06NSDKR-ND BSC014N06NS-ND BSC014N06NSATMA1DKR BSC014N06NSTR-ND BSC014N06NS BSC014N06NSCT-ND BSC014N06NSDKR |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか?フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました!
- NSVRB521S30T1Gonsemi
- PMEG100V060ELPDZNexperia USA Inc.
- LM5101AMR/NOPBTexas Instruments
- MBRAF360T3Gonsemi
- LTST-C193KGKT-5ALite-On Inc.
- OPA2314AIDRBTTexas Instruments
- BSC014N06NSTATMA1Infineon Technologies
- BSC014N06NSSCATMA1Infineon Technologies
- NTMFS5H600NLT1Gonsemi
- SIR626ADP-T1-RE3Vishay Siliconix
- FDMS86550ET60onsemi
- LTC6240HVHS5#TRMPBFAnalog Devices Inc.












