IRF630NPBF

MOSFET N-CH 200V 9.3A TO220AB
NOVA部品番号:
312-2280765-IRF630NPBF
製造メーカー部品番号:
IRF630NPBF
ひょうじゅんほうそう:
100
技術データシート:

N-Channel 200 V 9.3A (Tc) 82W (Tc) Through Hole TO-220AB

More Information
カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元Infineon Technologies
RoHS 1
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプThrough Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220AB
基本製品番号 IRF630
テクノロジーMOSFET (Metal Oxide)
シリーズHEXFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 9.3A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs 300mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID 4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 35 nC @ 10 V
FETの特徴-
パッケージ・ケースTO-220-3
Vgs (最大)±20V
FETタイプN-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)200 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds 575 pF @ 25 V
消費電力(最大) 82W (Tc)
その他の名前*IRF630NPBF
SP001564792

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