IRF5305STRLPBF
MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
NOVA部品番号:
312-2281085-IRF5305STRLPBF
製造メーカー部品番号:
IRF5305STRLPBF
ひょうじゅんほうそう:
800
技術データシート:
P-Channel 55 V 31A (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | D2PAK | |
| 基本製品番号 | IRF5305 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 31A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 60mOhm @ 16A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 63 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 55 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1200 pF @ 25 V | |
| 消費電力(最大) | 3.8W (Ta), 110W (Tc) | |
| その他の名前 | IRF5305STRLPBFCT IRF5305STRLPBF-ND IRF5305STRLPBFDKR IRF5305STRLPBFTR SP001564840 |
In stock もっと必要ですか。
$1.08350
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました！
FAN3278TMXonsemi
SN74HCT244DWRTexas Instruments
IRF530NSTRLPBFInfineon Technologies
24LC1025-I/SNMicrochip Technology
MMBT3906-7-FDiodes Incorporated- AUIRF4905SInfineon Technologies
IRF540STRLPBFVishay Siliconix
MMDT5551-7-FDiodes Incorporated
ULN2803ADWRTexas Instruments- IRF4905STRLPBFInfineon Technologies
IRF5305PBFInfineon Technologies- IRF540NSTRLPBFInfineon Technologies
APTL3216SECKKingbright
