SI8819EDB-T2-E1
MOSFET P-CH 12V 2.9A 4MICRO FOOT
NOVA部品番号:
312-2265226-SI8819EDB-T2-E1
製造元:
製造メーカー部品番号:
SI8819EDB-T2-E1
ひょうじゅんほうそう:
3,000
技術データシート:
P-Channel 12 V 2.9A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8) | |
| 基本製品番号 | SI8819 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | - | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 2.9A (Ta) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 1.5V, 3.7V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 80mOhm @ 1.5A, 3.7V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 900mV @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 17 nC @ 8 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | 4-XFBGA | |
| Vgs (最大) | ±8V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 12 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 650 pF @ 6 V | |
| 消費電力(最大) | 900mW (Ta) | |
| その他の名前 | SI8819EDB-T2-E1-ND SI8819EDB-T2-E1TR SI8819EDB-T2-E1DKR SI8819EDB-T2-E1CT |
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