SI8817DB-T2-E1

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	4-Microfoot
基本製品番号	SI8817
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	TrenchFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	2.1A (Ta)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	1.5V, 4.5V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	76mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID	1V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	19 nC @ 8 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	4-XFBGA
Vgs (最大)	±8V
FETタイプ	P-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	20 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	615 pF @ 10 V
消費電力(最大)	500mW (Ta)
その他の名前	SI8817DB-T2-E1TR SI8817DB-T2-E1DKR SI8817DB-T2-E1CT SI8817DBT2E1