IPTG011N08NM5ATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-HSOG-8
NOVA部品番号:
312-2289793-IPTG011N08NM5ATMA1
製造メーカー部品番号:
IPTG011N08NM5ATMA1
ひょうじゅんほうそう:
1,800
技術データシート:
N-Channel 80 V 42A (Ta), 408A (Tc) 3.8W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOG-8-1
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-HSOG-8-1 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | OptiMOS™ 5 | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 42A (Ta), 408A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 6V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 1.1mOhm @ 150A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 3.8V @ 280µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 223 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | 8-PowerSMD, Gull Wing | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 80 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 17000 pF @ 40 V | |
| 消費電力(最大) | 3.8W (Ta), 375W (Tc) | |
| その他の名前 | SP005430759 448-IPTG011N08NM5ATMA1TR 448-IPTG011N08NM5ATMA1DKR 448-IPTG011N08NM5ATMA1CT |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました！
NTE633NTE Electronics, Inc
IAUT200N08S5N023ATMA1Infineon Technologies
FDMS86350ET80onsemi
IAUS300N08S5N012TATMA1Infineon Technologies- IPT012N08N5ATMA1Infineon Technologies
DMT8008LFG-7Diodes Incorporated
IPTG007N06NM5ATMA1Infineon Technologies
ASEAIG-16.000MHZ-C-S-TAbracon LLC
IPT020N10N5ATMA1Infineon Technologies- IAUS300N08S5N011TATMA1Infineon Technologies
IAUS240N08S5N019ATMA1Infineon Technologies- IPTC012N08NM5ATMA1Infineon Technologies
- IPTC015N10NM5ATMA1Infineon Technologies
- IPT010N08NM5ATMA1Infineon Technologies
