IAUT200N08S5N023ATMA1
MOSFET N-CH 80V 200A 8HSOF
NOVA部品番号:
312-2289719-IAUT200N08S5N023ATMA1
製造メーカー部品番号:
IAUT200N08S5N023ATMA1
ひょうじゅんほうそう:
2,000
技術データシート:
N-Channel 80 V 200A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-HSOF-8-1 | |
| 基本製品番号 | IAUT200 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | OptiMOS™-5 | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 200A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 6V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 2.3mOhm @ 100A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 3.8V @ 130µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 110 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | 8-PowerSFN | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 80 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 7670 pF @ 40 V | |
| 消費電力(最大) | 200W (Tc) | |
| その他の名前 | IAUT200N08S5N023ATMA1TR IAUT200N08S5N023CT-ND IAUT200N08S5N023DKR IAUT200N08S5N023TR-ND IAUT200N08S5N023 2156-IAUT200N08S5N023ATMA1 IAUT200N08S5N023DKR-ND IAUT200N08S5N023ATMA1DKR IAUT200N08S5N023ATMA1CT IAUT200N08S5N023CT IFEINFIAUT200N08S5N023ATMA1 IAUT200N08S5N023TR SP001688332 |
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