IPB80P03P4L04ATMA2
MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3
NOVA部品番号:
312-2288571-IPB80P03P4L04ATMA2
製造メーカー部品番号:
IPB80P03P4L04ATMA2
ひょうじゅんほうそう:
1,000
P-Channel 30 V 80A (Tc) 137W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TO263-3-2 | |
| 基本製品番号 | IPB80P03 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS®-P2 | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 80A (Tc) | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 4.4mOhm @ 80A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2V @ 253µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 160 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (最大) | +5V, -16V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 30 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 11300 pF @ 25 V | |
| 消費電力(最大) | 137W (Tc) | |
| その他の名前 | 448-IPB80P03P4L04ATMA2DKR SP002325736 448-IPB80P03P4L04ATMA2TR 448-IPB80P03P4L04ATMA2CT |
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