IPB80P04P4L06ATMA2
MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
NOVA部品番号:
312-2288508-IPB80P04P4L06ATMA2
製造メーカー部品番号:
IPB80P04P4L06ATMA2
ひょうじゅんほうそう:
1,000
技術データシート:
P-Channel 40 V 80A (Tc) 88W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TO263-3-2 | |
| 基本製品番号 | IPB80P04 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | OptiMOS®-P2 | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 80A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 6.7mOhm @ 80A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2.2V @ 150µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 104 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (最大) | +5V, -16V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 40 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 6580 pF @ 25 V | |
| 消費電力(最大) | 88W (Tc) | |
| その他の名前 | 448-IPB80P04P4L06ATMA2TR 448-IPB80P04P4L06ATMA2CT 448-IPB80P04P4L06ATMA2DKR SP002325754 |
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